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CMOS技术
日银IMP提供广泛的CMOS技术，最小尺寸为0.8微米，以供选择如单/双层金属和单/双层多晶硅，随着外延/非外延原始材料的不同及顾客特殊应用的参数选择的不同还有n阱和p阱不同的版本。
可以提供低或0阈值工艺,及用于模拟信号调节应用的多晶对多晶电容。操作电压范围为1.5至120伏。
BiCMOS 技术
日银IMP把bipolar和 CMOS相结合为高度集成的工艺以满足客户对高速的bipolar和低功率/高密度CMOS的需求。BiCMOS产品包括5V,12V,20V和30V的工艺。高值电阻器件可利用高方块电阻多晶（2Kohms/平方），电阻可利用低温系数多晶。
BCD技术
一个万能的30伏工艺，把CMOS和DMOS的最佳性能结合在一起，能用于汽车、马达驱动、喷墨式打印机、螺线管控制和类似的电源管理市场中。多用途的DMOS器件把一个低的阈值电压（典型的为0.8伏）和30伏的源漏击穿电压结合在一起，适用于“智能电源”的应用。
EEPROM 和 EPROM 技术
电可擦除CMOS技术能在数字和混合信号系统中进行编程。日银IMP的EECMOS工艺简化了制造后的标准，并对自定义的数字和模拟逻辑应用进行重新编程。
低压技术
通过提日银IMP的标准CMOS技术，我们开发出了真正的低压工艺。该产品是采用了日银IMP混合模拟和数字CMOS工艺以及内部电路设计需求的专门产品。该工艺达到了要求的3伏电源供应，可以用于1.5伏电池操作的集成电路产品。日银IMP采用该生产验证过的3伏工艺来制造磁盘驱动可读集成电路。
高压技术
日银IMP提供一套全面的模式化生产工艺，结合了逻辑区段上1.2微米基础图形的120伏CMOS器件，适用于电子发光照明驱动、液晶显示屏幕等。
还有一个结合了双重栅高压驱动程序1.2微米双重金属工艺数字密度的15伏、1.2微米的工艺。这种结合使得该工艺在应用上更具吸引力，如在LCD显示驱动器、打印机头驱动器、外围设备界面电路、发动机控制器、PWM/SMPS控制器和CCD驱动器上的应用。这些应用通常需要大量的密度逻辑块聚集在同一个芯片上。1.2微米工艺的基本设计规则同样适用于高压部分的单独规则。
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电源管理
(Power Management)
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数据通讯
(Data communication) |
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代工
（Wafer Foundry) |
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