IMP3236
IMP3236(S)是具有3个独立高压通道和3个独立低压通道地，高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，高低通道搭配用于三相驱动。逻辑型号输入端兼容CMOS或LSTTL输出型号，最低适合3.3V逻辑信号。过流保护模块通过采集外部电流监控电阻上地信号来关断所有地6个通道。内置过流保护，悬浮高压通道可以用于驱动N沟道功率MOSFET或者IGBT，电压可以达到600V。
主要特性
※ 600V半桥驱动 高压侧采用自举工作模式
※ 10－20V的栅极驱动电压范围
※ 内置欠压锁定保护
※ 兼容3.3V，5V及15V逻辑电平输入
※ 交叉导通保护逻辑结构
※ 内置死区时间
※ 两个通道的信号传输延时相匹配
※ 28－Lead PDIP & SOP(W)封装
※ 符合RoHS标准

应用领域
※ 电机驱动
※ 冰箱、空调、风机、洗衣机功率模块驱动
※ 逆变控制器
※ 其它栅极功率管驱动
典型应用图：

数据表 

IMP3236

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IMP3201，IMP3202
IMP3201/3202是一款高压、高速MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高压侧和低压侧参考输出通道。专有的高压栅工艺和抗闩锁CMOS技术使集成电路具有很高的可靠性。逻辑输入与标准的CMOS输出或者LSTTL输出兼容，最低可至3.3V。在输出驱动级，具有为最小化驱动级的交叉传导专门设计的高脉冲电流缓冲级。在工作电压高至600V的高压侧，浮动通道可用驱动N型功率MOSFET或IGBT。
主要特性：
● 为自举工作模式设计的浮动通道工 作电压可以高达+600V
● 10-20V的栅极驱动电压范围
● 内置欠压锁定保护
● 兼容3.3V,5V及15V逻辑电平输入
● 两个输出通道的传播延时互相匹配
● 输出与输入同相位（IMP3201）,或者输出与输入反相（IMP3202）
● 8-Lead PDIP&SOP封装
● 符合RoHS标准

应用领域：
● 金卤灯镇流器
● 电机驱动
● 其他栅极功率管驱动
典型应用：


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IMP3201， IMP3202

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IMP3203，IMP3223
IMP3203，IMP3223是一款半桥驱动芯片，用来驱动高压、高速功率MOSFET和IGBT 。
IMP3203，IMP3223含有高压侧和低压侧两个输出通道。高压侧输出与逻辑输入HIN同相，低压侧输出与逻辑输入LIN反相，其逻辑输入电平可低至3.3V.。浮动高压侧能驱动高达600V/200V的N沟道功率MOSFET或者IGBT。
主要特性：
● 600V (IMP3203)，200V (IMP3223) 半桥驱动
● 高压侧采用自举工作模式
● 10-20V的栅极驱动电压范围
● 内置欠压锁定保护
● 兼容3.3V,5V及15V逻辑电平输入
● 交叉导通保护逻辑结构
● 内置死区时间
● 两个通道的信号传输延时相匹配
● 8-Lead PDIP&SOP封装
● 符合RoHS标准

应用领域：
● 电机驱动
● 其他栅极功率管驱动
典型应用：


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IMP3203
IMP3223

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IMP3205，IMP3206，IMP3207，IMP3208
IMP3205，IMP3206，IMP3207，IMP3208是一款高压、高速MOSFET和IGBT驱动器，具有非独立的高压侧和低压侧参考输出通道，防止两个通道独立开启。专有的高压柵工艺和抗闩锁CMOS技术使集成电路具有很高的可靠性。逻辑输入与标准的CMOS输出或者LSTTL输出兼容，最低可至3.3V。在输出驱动级，具有为最小化驱动级的交叉传导专门设计的高脉冲电流缓冲级。在工作电压高至600V的高压侧，浮动通道可用来驱动N型功率MOSFET或IGBT。
主要特性：
● 为自举工作模式设计的浮动通道
● 工作电压可以高达+600V
● 10-20V的栅极驱动电压范围
● 内置欠压锁定保护
● 兼容3.3V，5V及15V逻辑电平输入
● 两个输出通道的传播延时互相匹配
● 高压侧（HO）逻辑输入，同相（IMP3205/IMP3206）；高压侧（HO）逻辑输入，反相（IMP3207/IMP3208）
● 低压侧（LO）逻辑输入，同相（IMP3206/IMP3208）； 低压侧（LO）逻辑输入，反相（IMP3205/IMP3207）
● 8-Lead PDIP&SOP封装
● 符合Rohs标准

应用领域：
● 电机驱动
● 其他栅极功率管驱动
典型应用：


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IMP3205，IMP3206，IMP3207，IMP3208

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IMP3213
IMP3213是一款高压、高速MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高压侧和低压侧输出通道。专有的高压栅工艺和抗闩锁CMOS技术使此款芯片具有很高的可靠性。逻辑输入与标准的COMOS输出或者LSTTL输出兼容，逻辑输入最低可至3.3V。在输出驱动级，具有为最小化驱动级的交叉传导专门设计的高脉冲电流缓冲级。对于高频率输入信号两个通道输出延时一致。在工作电压高至600V的高压侧，浮动通道可用来驱动N沟道功率MOSFET或IGBT。
主要特性：
● 工作电压高达600V
● 栅极驱动电压范围10-20V
● 双通道欠压锁定保护
● 兼容3.3V逻辑电平
● 独立的逻辑供电，输入范围3.3V~20V,逻辑地与功率地可以相差5V
● 端口下拉设置，集成CMOS施密特触发器
● 每个周期进行关断输入信号的监测
● 两个通道传输延迟相匹配
● 输出与输入同相位
● 14-Lead PDIP&16-Lead SOIC（W）封装
● 符合Rohs标准

应用领域：
● 大功率电子镇流器
● 逆变电源
● 正弦波发生器
● 其他栅极驱动应用
● 电机驱动
典型应用：


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IMP3213

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IMP3225，IMP3226，IMP3227，IMP3228
IMP3225，IMP3226，IMP3227，IMP3228是一款高压，高速MOSFET和IGBT驱动器，具有非独立的高压侧和低压侧参考输出通道，防止两个通道同时开启。专有的高压侧工艺和抗闩锁CMOS技术使集成电路具有很高的可靠性。逻辑输入与标准的CMOS输出或者LSTTL输出兼容，最低可至3.3V。在输出驱动级，具有为最小化驱动级的交叉传导专门设计的高脉冲电流缓冲级。在工作电压高至200V的高压侧，浮动通道可用来驱动N沟道功率MOSFET或IGBT。
主要特性：
● 为自举工作模式设计的浮动通道
● 工作电压可以高达+200V
● 10-20V的栅极驱动电压范围
● 内置欠压锁定保护
● 兼容3.3V，5V及15V逻辑电平输入
● 两个输出通道的传播延时互相匹配
● 高压侧（HO）逻辑输入，同相（IMP3225/3226）；高压侧（HO）逻辑输入，反相（IMP3227/3228）
● 低压侧（LO）逻辑输入，同相（IMP3226/3228）；低压侧（LO）逻辑输入，反相（IMP3225/3227）
● 8-Lead PDIP&SOP封装
● 符合Rohs标准

应用领域：
● 电机驱动
● 其他栅极功率管驱动
典型应用：


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IMP3225，IMP3226，IMP3227，IMP3228

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IMP3204
IMP3204是一款半桥驱动芯片，用来驱动高压、高速功率MOSFET和IGBT。IMP3204含有高压侧和低压侧两个输出通道。高压侧输出与逻辑输入IN同相，其逻辑输入电平可低至3.3V。浮动高压侧能驱动高达600V的N型功率MOSFET或IGBT。
主要特性：
● 600V半桥驱动为自举工作模式设计的浮动通道
● 高压侧采用自举工作模式
● 10-20V的栅极驱动电压范围
● 内置欠压锁定保护
● 兼容3.3V，5V及15V逻辑电平输入
● 交叉导通保护逻辑结构
● 内置死区时间
● 高压侧输出与逻辑输入IN同相
● 使输入同时控制两个输出通道开关
● 两个通道的信号传输延时相匹配
● 8-Lead PDIP&SOP封装
● 符合Rohs标准

应用领域：
● 金卤灯镇流器
● 电机驱动
● 其他栅极功率管驱动
典型应用：


数据表 

IMP3204

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